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三星新动向,晶圆代工进入“威慑纪元”执剑人或易换?

作者:MS时间:2019-05-15来源:电子产品世界收藏

众所周知,拥有全球最先进的半导体制造工艺,在工艺方面它与全球最大的芯片代工厂处于同一水平,在该领域起步早、研发实力强,才打下了如今的霸业。目前全球内存芯片市场是、海力士、美光、东芝、西部数据等巨头称霸,三星占据市场最大份额。

本文引用地址:article/201905/400576.htm

劲敌剑锋相向多年

2014年三星电子失去苹果A系列处理器订单,苹果A8处理器全部交由(TSMC)代工;2015年好不容易抢到A9处理器部分订单,但由于良率和功耗控制不如台积电,导致2016年的A10处理器又全部由台积电包圆。由于失去苹果这个大客户,导致2014年和2015年代工营收出现下滑。

为了填补产能,三星电子代工部门积极出击,抢下高通(Qualcomm)应用处理器和服务器芯片、超微半导体(AMD)的微处理器芯片、英伟达(Nvidia)的图形处理芯片、安霸(Ambarella)的视觉处理芯片、特斯拉(Tesla)的自驾系统芯片的订单,得以弥补苹果跑单的窘境。2016年营收达到44亿美元,超过2013年的水平,创下三星电子代工营收的新纪录。

在联电、格罗方德相继退出10nm以下制程市场,以及英特尔 2018年陷入产能不足的窘境后,三星被认为是代工龙头台积电近2年的唯一对手,与其一同竞争英伟达、高通等有7nm EUV技术需求的客户。

2016~2018年三星半导体产值(注:含存储器)

来源:拓墣产业研究院

三星是全球半导体产业的重要风向标,三星电子副会长更曾公开表述,三星半导体事业部除了已在存储器市场独霸一方,系统半导体事业部(System LSI)及晶圆代工事业部的成长潜力,将成为三星半导体部门未来数年的主要成长动能。

3nm工艺提升,上位之意昭然若揭

在5月15日(今日)的三星晶圆代工SFF美国分会上,三星宣布四种FinFET工艺,涵盖了7nm到4nm,再往后则是3nm GAA工艺了,通过使用全新的晶体管结构可使性能提升35%、功耗降低50%,芯片面积缩小45%。

目前先进半导体制造工艺已经进入10nm节点以下,台积电去年率先量产7nm工艺,但没有EUV光刻工艺,三星则选择了直接进入7nm EUV工艺,进度上要比台积电落后一年,不过三星现在要加速追赶了。

除了7nm FinFET工艺之外,三星还规划了另外三种FinFET工艺——6nm、5nm、4nm,今年将完成6nm工艺的批量生产,并完成4nm工艺的开发。

目前三星还在开发3GAE工艺中,不过他们4月份就发布了3GAE工艺的PDK 1.0工艺设计套件,旨在帮助客户尽早开始设计工作,提高设计竞争力,同时缩短周转时间(TAT)。

登峰之意雄心壮志

2019年4月24日,三星电子公布了未来的投资计划和目标。三星电子的投资计划,将在未来12年内将投资133万亿韩元(约1200亿美元)加强系统LSI和晶圆代工业务方面的竞争力,扩大非存储器业务。其中:73万亿韩元(约660亿美元)的国内研发,60万亿韩元(约540亿美元)的生产基础设施,预计每年平均投资11万亿韩元(约100亿美元)。

从三星这一举动可以看出,三星的目标昭然若揭:保持存储芯片全球第一的位置的同时,在晶圆代工领域挑落台积电,在CMOS图像传感器领域击败索尼,在营收方面维持对英特尔的领先,坐稳全球第一大半导体厂商的宝座。

*本文部分数据观点参考引用新闻报刊如下:

[1]《2019全球晶圆代工7nm产值成长200%以上,三星布局对标台积电》陈彦尹 拓墣产业研究院.

[2]《三星目标高远争当全球第一存储芯片晶圆代工CMOS图像传感器还有营收》赵元闯 芯思想.

[3]《三星2021年量产3nm工艺 性能提升35%》宪瑞 快科技.



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