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三巨头最后一家:SK海力士跨向1ynm内存时代

作者:上方文Q时间:2019-04-28来源:快科技收藏

近日宣布,将在提高第一代10nm级工艺(1xnm) DRAM芯片产能的同时,今年下半年开始销售基于第二代10nm级工艺()的芯片,并为下代做好准备。

本文引用地址:article/201904/399960.htm

首款工艺产品将是8Gb DDR4-3200芯片,号称相比1xnm工艺可将尺寸缩小20%,并将功耗降低15%。

此外,这颗新的芯片还具备四相时钟机制,有利于提高信号强度、维持高频稳定性,并支持感应放大控制技术(SAC),有利于减少晶体管尺寸缩小时可能出现的数据错误。

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有消息称,还会用工艺制造DDR5、LPDDR5、GDDR6内存芯片,所以尽早部署并量产非常关键。

其实,SK海力士是内存三巨头中最后一家大规模上1ynm工艺的,三星、美光去年就用上了。

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关键词: 内存 SK海力士 1ynm

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