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红「芯」势力崛起 三星DRAM事业的危机与中转

作者:范维君时间:2019-04-10来源:DIGITIMES收藏

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本文引用地址:article/201904/399342.htm

半导体无所不在,举凡汽车、家电、手机到战斗机,皆少不了半导体这玩意。半导体为韩国最具代表性产业,占外销总金额的20%。然而2018年底存储器荣景告终、价格走跌,除了让电子(Samsung Electronics)存储器事业陷入危机外,韩国经济前景也跟著蒙上阴影。面对中国大陆力拚崛起,及工业4.0革命可能带来的爆炸性需求,半导体事业将采取何种策略令人好奇。

陷价格风暴 库存资产飙升

2018年三星电子全年营收243兆韩元(约2,169亿美元),营业利益59兆韩元,其中半导体事业占三星营收的35%,但营业利益却占76%,半导体等于撑起三星大多数获利,然2018年底三星存储器营收季减24%,营业利益季减43%,危机隐忧浮现。

三星半导体事业分为存储器(、NAND Flash)与非存储器(系统IC及晶圆代工)。2018年三星半导体事业营收86兆韩元,存储器占比84%,非存储器占比16%,半导体事业营业利益44兆韩元,存储器占97%,非存储器仅占3%,半导体事业获利极端依赖存储器。

从存储器部门营收与营业利益来看,2018年三星存储器营收72兆韩元,64%营收来自DRAM,36%营收来自NAND Flash,存储器营业利益43兆韩元,75%营业利益来自DRAM,25%营业利益来自NAND Flash,三星存储器事业获利也不均衡,DRAM可说是三星最大获利金鸡母,重要性可见一斑。

1983年三星发表著名的「东京宣言」,正式开启DRAM事业序曲,DRAM成为三星王国版图中最重要的产品。2000年代全球DRAM市场经历多次胆小鬼赛局,业者从十多家变成个位数,逐渐形成三星、SK海力士(SK Hynix)与美光(Micron)三巨头寡占局面,三星与SK海力士(SK Hynix)合计市占率超过7成,韩国称霸全球DRAM市场。

2016年以来受惠于PC、智能型手机需求扩大,存储器市场进入荣景循环,直至2018年底DRAM价格走跌。市调机构预估,2019年第1季DRAM价格年跌幅,将从原本的25%扩大至30%,这对高度依赖存储器的三星自然不是好消息。预料随著存储器价格持续走跌,2019年三星恐让出全球半导体龙头企业宝座,英特尔(Intel)有望重登王位。

最近也传出三星库存资产飙升情况严重,相较于产品价格下滑,库存资产升高背后的原因更值关注。因为这表示,三星存储器主要客户,美国与中国大陆等的服务器业者订单大幅减少。尽管三星预测2019年下半市况将会好转,但韩国业界则比较悲观,认为短期内三星降低库存资产水位并非易事。

稍早传出三星已带头在NAND Flash市场大幅砍价,应验先前存储器市场胆小鬼赛局,将从NAND Flash开始的预言,由于DRAM市场已形成寡占局面,三巨头合计市占率高达95%,DRAM市场再掀胆小鬼赛局的可能性相对较低。

日前SK海力士宣布,斥资120兆韩打造4座半导体厂,美光则决定加码中国台湾建封测厂,三星也积极兴建平泽二厂。放眼未来DRAM市场,三星、SK海力士与美光的扩产竞争仍将持续,而中国大陆何时加入与如何加入?恐成DRAM市场最大变量。

三星DRAM坚守韩国 EUV制程拚2020年投产

中国大陆目前有SK海力士无锡DRAM厂、英特尔(Intel)大连NAND Flash厂、美光西安DRAM厂,及三星西安NAND Flash厂。至今,三星并未将DRAM生产移至大陆。三星DRAM生产工厂主要以华城为主,最近也扩及至平泽园区。

2019年三星DRAM产线计有5条:华城13、华城15、华城16及华城17及平泽P1。原本华城11产线生产DRAM,但2018年决定转换生产CMOS影像传感器(CIS),华城16产线中的2D NAND Flash产线,则是转换生产DRAM弥补产能。

DRAM从20纳米进入10纳米1x制程已相当不容易,接下来10纳米1y及1z制程更为困难。2017年11月三星率先量产1y纳米制程DRAM,2019年3月21日三星宣布完成开发1z纳米制程,预计2019年下半进入量产。

美光2018年底量产1y纳米制程Mobile DRAM,SK海力士则是宣布2019年第1季起量产1y纳米制程DRAM,三星领先对手1~2年,预料2019年三家业者的10纳米级DRAM制程竞争,势将更为白热化。

三星传计划2020年初,启用极紫外光(EUV)设备试产新一代DRAM。事实上,导入EUV设备制程的举动,将让以美国为首的全球半导体制造地位更为巩固,垫高日后中国大陆业者进入先进制程的难度。

尽管大陆已在IC设计、封测及晶圆代工领域有所进步,但在半导体制造领域大部分仍由中国台湾、韩国业者掌握,中国台湾、韩国身为美国半导体同盟成员,未来是否可能与大陆合作?颇值得玩味与观察。

半导体的政治经济学 红芯崛起的辩证思考

从国际政治经济学来看,中国大陆半导体崛起别具意义。美国向来视半导体为国家安全战略的一环,美苏冷战时期,苏联高层误信半导体抗辐射能力不如真空管,在发展半导体的黄金期败下阵来,全球半导体产业就以美国为中心揭开序幕。

苏联败下阵后,美国也开始拉邦结友,半导体产业于是以美国及其「盟友」为中心开始发展。例如,DRAM有三星、SK海力士等盟友,NAND Flash有三星、SK海力士、东芝等盟友,及美光、威腾(WD)、英特尔等美国业者,CPU则由英特尔及超微(AMD)掌握。

随著大陆经济与科技不断猛进,科技发展逐渐扩及半导体,进一步计划半导体自给率从目前的15%,提升至2025年的70%。此举自然引起美国警戒,美国总统川普为防堵中国大陆半导体势力崛起,日前对福建晋华祭出禁售令,联电自然也得急忙撇清关系。

在此之前,美国曾经禁止英特尔出售高阶芯片予大陆,也曾阻碍中国大陆企业收购美国半导体公司。虽然美国可能也有意牵制所有中国大陆的存储器业者,但暂时还无法有正当理由对NAND Flash发动攻势。

中国大陆自然不甘坐以待毙,2017年底~2018年初大陆国家发展改革委员会,传曾经约谈三星半导体高层,2018年5月反垄断局正式对三星、SK海力士及美光等三家业者展开调查,施压意味明显。传为了加速中国大陆半导体产业崛起,中国大陆当局要求这些业者中断对大陆企业提出专利侵权诉讼,交换条件是免除数十亿美元罚金。

DRAM领域牵涉到的技术面诉讼,及军事用途等敏感问题,这些在NAND Flash身上都不存在,加上NAND Flash技术门槛较低,将使大陆NAND Flash产业成长速度快过DRAM。尽管中国大陆的DRAM发展值得关注,但目前看来想追上三星、SK海力士等并非易事。

从需求层面来看,2018年全球前十大半导体客户大陆进榜4家,分别是华为、联想、步步高及小米,中国大陆半导体崛起的最大助力,除政策金援外,其庞大的内需也不容忽视。如果从三星极度不均衡发展的半导体事业出发,三星或许也想利用这股红芯崛起,修正半导体事业的不均衡。

三星DRAM的危与机 高层跳槽为哪里桩

目前中国大陆力拚半导体崛起,对三星而言恐怕「感同身受」,因为过去三星也是从落后到追赶,终成一方霸主。回顾三星发展DRAM事业的当时,不少日本研究机构多给予负评,认为三星无法成功发展半导体事业。

2017年底,三星发布了一项不寻常的人事命令,让三星存储器事业部长全永铉出任三星代表理事。全永铉曾任乐金半导体DRAM开发组,1999年转任三星电子,先后担任DRAM开发室长、Flash开发室长、策略营销组长等职,2015年成为存储器事业部长,可说是三星发展DRAM与NAND Flash的重要人物。

尽管不少人猜测,三星有意将三星电子的成功经验复制到三星,但当时正值三星存储器供不应求,价格不断冲高之际,三星却将存储器核心人力调往三星SDI令人不解。

1970年成立的三星SDI,并非三星集团的主力公司,受关注程度不及三星电子,事业项目也进行过多次调整。早期三星SDI生产映像管(CRT),2014年整并第一毛织材料事业,能源解决方案与电子材料为目前的两大发展主轴。

审视三星集团庞大且复杂的循环出资图,可发现三星物产-三星电子-三星SDI-三星物产这条循环出资路径,三星SDI对第三代继承经营权转移扮演关键角色,其背后最大股东则是三星电子。

据ET News报导,2018年底三星针对想转赴大陆半导体企业任职的离职主管,提出禁止转职假处分。2017年底三星发布定期人事异动,曾将这名高层派至三星SDI策略营销室,不久后该名高层就以个人因素为由提出辞呈,随即在2018年第3季进入合肥长鑫上海DRAM设计部门,这在韩国企业显得极不寻常。

中国大陆喊出半导体崛起口号后,约从2~3年前开始研发存储器,最早先从同文同种的中国台湾业界挖角,之后将延揽目标转向韩国,逐渐以韩国工程师取代台湾工程师,期透过挖角人才快速提升竞争力。

短期而言,中国大陆发展DRAM产业并不会对三星及韩国存储器霸主地位构成威胁,反观目前DRAM价格不断下滑、需求缩减与库存升高,恐怕才是三星应尽早解决的当务之急。展望未来,就算中国大陆DRAM顺利量产,所要面对的智财权(IP)问题恐怕相当棘手。



关键词: 三星 DRAM SDI

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